类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：17A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

PC3Q51ONIP具备多项优异性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件支持高漏源电压（Vds）达到60V，适用于多种中高功率应用。此外，其栅源电压容限为±20V，具有良好的栅极保护能力，避免因过高的栅极电压导致损坏。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度PCB布局。PC3Q51ONIP在高温环境下依然能够保持稳定运行，具备出色的热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件的开关特性优异，具备快速开关能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，其内部结构优化设计减少了开关损耗，有助于提高能源利用效率。由于其低门极电荷（Qg）和输出电容（Coss），PC3Q51ONIP在高频操作中表现出色，能够满足高效能电源转换系统的需求。

PC3Q51ONIP适用于多种电源管理和功率转换应用，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和车载逆变器等应用场合。由于其优异的导通和开关性能，特别适合需要高效率和高可靠性的设计。

SiSS17DN, FDS6680, IRF7413, AO4406, NVTFS5C471NL