类型：NPN双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装类型：TO-18金属封装

2N528A具备良好的高频响应能力，适用于射频和中频放大应用。
　　该晶体管的金属封装结构提供了良好的散热性能，有助于在高频工作条件下保持稳定。
　　其VCEO为30V，允许在中等电压环境下运行，适用于多种低功率放大电路。
　　2N528A的基极-发射极结具有较低的电容，有助于减少高频信号传输中的失真。
　　该晶体管在高频段（如VHF、UHF）表现出色，常用于无线通信、射频接收机和发射机前级放大电路。
　　其稳定性好，能够在较高温度环境下正常工作，适用于工业级和军用级应用场合。
　　由于其良好的高频特性和紧凑的金属封装，2N528A也常用于测试设备、射频信号发生器和各类低噪声放大器设计中。

2N528A主要用于射频和高频放大器电路，如无线通信系统中的射频前端放大器。
　　该晶体管适用于各类低噪声放大器（LNA）设计，特别是在VHF和UHF频段的接收机中。
　　在测试和测量设备中，2N528A可用于构建高频信号放大模块。
　　它也常用于射频信号发生器、频谱分析仪和通信测试仪等设备中的放大电路。
　　此外，2N528A还可用于各类无线电接收机和发射机的前级放大电路，提供良好的信号增益和稳定性。
　　由于其良好的高频特性和紧凑封装，2N528A也广泛应用于小型化通信模块和无线传感网络中的信号处理电路。

2N528B, 2N3563, 2N3478, BF199