型号：PC28F256P30B2F TR
　　类型：NOR Flash
　　容量：256 Mbit（32 MB）
　　组织结构：16位数据宽度（x16）
　　工艺技术：StrataFlash MLC 技术
　　供电电压：Vcc = 3.0V ~ 3.6V
　　输入/输出电压：VccQ = 3.0V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　存储温度：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP-64（12mm x 20mm）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　访问时间：70ns（典型值）
　　待机电流：≤ 150 μA
　　读取电流：≤ 30 mA
　　编程/擦除电流：≤ 40 mA
　　接口类型：并行异步接口
　　擦除次数：100,000 次（典型）
　　数据保持期：10 年（最小）

PC28F256P30B2F TR具备多项先进特性，使其在复杂嵌入式应用中表现出色。首先，它采用了Intel专有的StrataFlash架构，结合多级单元（MLC）技术，在保持NOR Flash高速读取优势的同时，实现了更高的存储密度和更低的成本。每个存储单元可存储多个比特信息，使得在相同物理尺寸下提供更大容量成为可能，这对追求小型化和高集成度的设计尤为重要。
　　其次，该芯片支持快速随机读取访问，典型访问时间为70纳秒，能够满足实时操作系统（RTOS）或代码直接执行（XIP, eXecute In Place）的需求。这意味着微控制器可以直接从闪存中执行程序代码而无需将其复制到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。
　　再者，器件内置了强大的错误检测与纠正机制（ECC），可在读写过程中自动识别并修正多位错误，显著提升数据完整性与系统可靠性。同时，其支持硬件写保护功能，防止因意外写操作或断电导致的关键数据损坏。电源斜坡监控电路确保在上电/掉电过程中不会发生误编程或误擦除。
　　此外，PC28F256P30B2F TR支持扇区擦除、块擦除和整片擦除等多种擦除模式，允许精细控制擦除粒度，优化系统性能与寿命管理。配合智能的坏块管理和映射算法，可有效延长使用寿命并维持长期稳定性。该器件还兼容通用的命令集（如CFI - Common Flash Interface），便于不同厂商之间的软件移植与系统升级。
　　最后，其TSOP-64封装具有良好的热性能和机械稳定性，适合回流焊工艺，并能在宽温范围内可靠工作，适用于工业、车载及严苛环境下的长期部署。

PC28F256P30B2F TR广泛应用于各类需要高可靠性代码存储和数据记录的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备、工业网关和远程IO模块中，作为固件存储介质，支持现场升级与配置保存。在网络通信设备中，如路由器、交换机、基站控制器等，该芯片用于存放启动引导程序（Bootloader）、操作系统镜像和配置文件，确保设备在重启后能快速加载核心软件。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）前端控制单元等，满足车规级对耐温性与长期数据保持的要求。医疗设备中，如便携式监护仪、超声成像系统和病人信息终端，也采用此类闪存来存储关键的操作系统和患者数据，保障数据安全与合规性。
　　此外，在测试测量仪器、POS终端、智能电表、安防监控设备等领域，PC28F256P30B2F TR因其稳定的性能和成熟的生态系统而被广泛采纳。由于其支持XIP（就地执行）能力，尤其适合那些无法配备大容量RAM但仍需运行复杂固件的应用场景。配合实时操作系统（如VxWorks、FreeRTOS、ThreadX等），可构建高效、响应迅速的嵌入式平台。
　　随着工业物联网（IIoT）的发展，越来越多边缘节点设备需要本地持久化存储能力，该芯片凭借其耐用性、长生命周期支持和成熟供货渠道，成为许多设计工程师的首选方案之一。

MT28EW256ABA1LPC-0SIT
　　S29GL256P_01
　　CY29GL256S_01
　　IS26LP256R-30S