时间：2025/9/2 6:06:10
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H9TQ17ADFTMCUR-KUM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动型LPDDR4系列的内存颗粒。这款芯片设计用于高性能、低功耗的应用场景，广泛适用于智能手机、平板电脑、嵌入式设备以及需要高内存带宽的系统中。H9TQ17ADFTMCUR-KUM 具有较高的存储密度，同时保持了较小的封装尺寸，符合现代移动设备对空间和能效的严格要求。
容量：8Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：BGA
数据速率：3200 Mbps
工作电压：1.1V
组织结构：x16
温度范围：-40°C ~ +85°C
H9TQ17ADFTMCUR-KUM 的核心优势在于其高速性能和低功耗设计，适用于现代移动设备对内存的苛刻要求。该芯片采用了先进的DRAM制造工艺，能够在低电压下（1.1V）保持高速数据传输速率（最高可达3200 Mbps），从而有效延长设备的电池续航时间。此外，其x16的数据组织结构优化了内存带宽利用率，使得数据访问更加高效。该芯片还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适应各种复杂的工作环境。
另一方面，H9TQ17ADFTMCUR-KUM 采用紧凑的BGA（球栅阵列）封装形式，不仅节省了PCB空间，还提升了电气性能和散热能力，确保在高密度电路设计中也能稳定运行。该封装方式还增强了芯片的抗震性和耐用性，使其非常适合用于便携式电子产品和高可靠性系统中。
该芯片主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及需要高性能低功耗内存的便携式电子产品。此外，它也适用于车载信息娱乐系统、工业控制设备以及物联网（IoT）设备等需要高带宽和低功耗内存的场景。
H9TQ17ABDTMCUR-KUM, H9TQ17AFDTMCUR-KUM, H9TQ17A2DTMCUR-KUM
