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PC28F064M29EWTY TR 发布时间 时间:2025/12/27 3:44:54 查看 阅读:10

PC28F064M29EWTY TR是英特尔(Intel)推出的一款NOR闪存芯片,属于其成熟的C3系列闪存产品线。该器件专为需要高可靠性和快速读取性能的嵌入式应用而设计,广泛应用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子等领域。该芯片采用先进的制造工艺,提供64Mbit(即8MB)的存储容量,组织方式为4M x16位结构,支持字节和字操作模式,适合需要直接执行代码(XIP, eXecute In Place)的应用场景。PC28F08GM29EWTY TR封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装),符合行业标准尺寸,便于在空间受限的PCB上布局。该器件工作电压为3.0V至3.6V,兼容低功耗系统设计,并具备宽温工作范围(通常为-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的长期稳定运行。作为一款并行接口NOR Flash,它提供较高的随机读取速度,适合频繁访问小数据块的应用需求。此外,该芯片内置了命令集架构,支持快速擦除、编程和写保护功能,增强了数据安全性和系统稳定性。由于其稳定的性能和长期供货保障,PC28F064M29EWTY TR曾被广泛用于多种工业级和车载级设备中。需要注意的是,随着技术演进,英特尔已逐步将重点转向SPI NAND及更高密度的存储解决方案,部分旧型号可能进入停产或生命周期末期状态,用户在选型时应关注供货渠道与替代方案。

参数

品牌:Intel
  类型:NOR Flash
  存储容量:64 Mbit
  组织结构:4M x 16
  工作电压:3.0V ~ 3.6V
  接口类型:并行
  封装形式:48-TSOP
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  读取访问时间:70ns
  编程时间:典型128μs/word
  擦除时间:典型70ms/sector
  写保护功能:支持硬件写保护
  总线宽度:16位
  电源电流:工作模式下最大30mA,待机模式下最大5μA

特性

PC28F064M29EWTY TR具备多项关键特性,使其在嵌入式系统中表现出色。首先,其高速读取性能是核心优势之一,典型访问时间为70纳秒,能够满足实时系统对快速指令获取的需求,特别适用于需要在Flash中直接执行程序代码(XIP)的应用场景,如Bootloader存储或实时操作系统内核加载。这种低延迟读取能力显著提升了系统启动速度和运行效率。
  其次,该芯片具有高可靠性与耐久性,每个存储单元可支持高达10万次的擦写周期,远超多数EEPROM和部分NAND Flash器件,确保在频繁更新配置数据或日志记录的应用中长期稳定运行。同时,数据保持时间长达100年,在极端温度条件下仍能有效保存信息,适合工业自动化、轨道交通等对数据完整性要求极高的场合。
  再者,该器件集成了智能写入和擦除管理机制,支持按扇区(Sector)进行擦除操作,最小擦除单位为64KB主扇区和多个较小的子扇区(如8KB),允许精细控制更新区域,减少不必要的全片擦除,提升系统效率并延长使用寿命。编程操作以字(Word)为单位,典型编程时间为128微秒,配合高效的命令寄存器接口,可通过标准CE#、OE#、WE#控制信号完成复杂的写入流程。
  安全性方面,PC28F064M29EWTY TR提供硬件写保护功能,通过特定引脚(如WP#)实现对关键区域的物理级锁定,防止意外修改或恶意篡改,增强系统固件的安全性。此外,芯片支持软件命令锁存机制,可进一步配置只读区域,提升整体防护等级。
  最后,其工业级温度范围(-40°C至+85°C)和低功耗设计使其适用于户外设备、车载终端和远程监控系统等复杂环境。尽管为并行接口器件,但其引脚布局遵循标准规范,便于与其他微控制器、DSP或FPGA无缝对接,降低开发难度和布板复杂度。

应用

PC28F064M29EWTY TR广泛应用于多种对稳定性、可靠性和快速启动有严格要求的嵌入式系统中。在工业控制领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和工业网关中作为固件存储介质,因其支持XIP(就地执行)功能,可直接从Flash运行控制程序,无需加载到RAM,节省系统资源并加快响应速度。在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站控制器,该芯片用于存储引导程序(Bootloader)、操作系统映像和配置文件,其快速随机读取能力和高耐用性确保设备在频繁重启或长时间运行下依然稳定可靠。
  在汽车电子系统中,该器件适用于仪表盘控制模块、车身控制模块(BCM)和车载信息娱乐系统(IVI),用于存储启动代码、校准数据和诊断程序。其宽温特性和抗干扰设计符合AEC-Q100等车规级标准的部分要求,能够在发动机舱附近或极端气候条件下正常工作。
  此外,在医疗设备、测试测量仪器和军事通信系统中,PC28F064M29EWTY TR也发挥着重要作用,特别是在需要长期数据保留和高安全性的应用场景中。例如,在便携式医疗监测仪中,可用于存储设备固件和患者校准参数;在军工设备中,则用于存储加密算法模块和系统配置信息。
  由于其并行接口特性,该芯片还适用于传统架构的微处理器系统,尤其是使用ColdFire、ARM9、PowerPC等老一代处理器的设计平台。对于正在进行产品维护或升级的工程师而言,该型号仍是替换老旧Flash器件的重要选择之一。

替代型号

S29GL064N90TFIR2
  MT28EW064ABA-0-S3JAA
  IS26LV1024A-10MLI

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PC28F064M29EWTY TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间60 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(11x13)