PMV60ENEAR 时间：2025/9/14 22:13:13 阅读：13

PMV60ENEAR 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有高性能和高可靠性，适用于多种电源管理和功率转换应用。PMV60ENEAR是一款N沟道增强型MOSFET，设计用于高效、低导通损耗和快速开关操作。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK、LFPAK等

特性

PMV60ENEAR具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为40mΩ，在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，实现了优异的开关性能和热稳定性，适合高频开关应用。此外，其最大漏源电压为60V，可支持多种中压功率转换电路，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等。
　　该器件的连续漏极电流可达11A，具备良好的电流承载能力，同时其最大功率耗散为30W，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。PMV60ENEAR还具有良好的热阻特性，可有效管理热量，提高系统可靠性。此外，其栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。

应用

PMV60ENEAR广泛应用于各类中高压功率转换系统。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高效升压或降压电路，提升能源利用率；在电机驱动电路中，其低Rds(on)和高电流能力可提高驱动效率并减少发热；在电池管理系统中，PMV60ENEAR可用于高侧或低侧开关，实现对电池充放电的有效控制。此外，该器件还适用于电源管理模块、LED驱动器、工业自动化控制设备以及汽车电子系统等。
　　在汽车电子领域，PMV60ENEAR可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路等。其高可靠性和宽工作温度范围使其在严苛的汽车环境中表现出色。在消费电子方面，该器件可用于高性能电源适配器、智能家电控制模块等，提供稳定高效的功率控制解决方案。