时间：2025/9/14 19:10:20
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PBSS8110Z,135 是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术。这款MOSFET专为高效率功率开关应用设计，具有低导通电阻、高电流处理能力和优良的热性能。其主要目标市场包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：12A
导通电阻(RDS(on))：最大值 80mΩ @ VGS = 10V
阈值电压(VGS(th))：1.5V ~ 2.5V
功耗(PD)：30W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PBSS8110Z,135的主要特点包括其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。它还具有高电流承载能力，能够在持续负载下保持稳定运行。该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具备优良的热稳定性和坚固的封装结构，能够适应严苛的工作环境。
其TrenchMOS技术提供了更优的导通和开关性能，同时在高温下仍能保持良好的稳定性。封装方面，该器件采用SOT223封装形式，具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）装配流程。
PBSS8110Z,135适用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化控制电路。由于其高效率和紧凑的尺寸，该器件也常用于便携式设备和嵌入式系统中的功率管理部分。此外，它还可以用于汽车电子、LED照明驱动以及各类负载开关设计中。
SiSS11DN, FDS4410A, IRFZ44N, NTD12N10CL
