PBSS5350D,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于高效能电源管理应用。PBSS5350D,115 通常封装在 SOT-457(TSOP-6)封装中,适合用于空间受限的设计。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):10A(最大)
漏极-源极击穿电压(VDS):30V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):25mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-457 (TSOP-6)
PBSS5350D,115 的关键特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高整体效率。该器件在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 25mΩ,而在 VGS=4.5V 时也保持在 35mΩ 左右,使其适用于低电压驱动电路。
此外,PBSS5350D,115 具有高电流处理能力,连续漏极电流可达 10A,适用于负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等高功率应用。其封装形式 SOT-457 是一种小型化的表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计。
该 MOSFET 还具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并具备一定的抗过载能力。此外,其栅极驱动电压范围较宽(可支持 4.5V 至 10V),兼容多种驱动电路设计。
由于其卓越的性能,PBSS5350D,115 在汽车电子、工业控制、便携式设备和电源管理系统中得到广泛应用。
PBSS5350D,115 主要用于以下几类应用场景:电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制部分。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件在需要高效能和低损耗的电源设计中表现出色。在汽车电子领域,该器件可用于车载电源转换系统、LED 照明驱动和车身控制模块。此外,PBSS5350D,115 也适用于工业自动化设备、智能电表和嵌入式系统中的功率管理单元。
SiSS108N, SiSS108L, FDS6680, AO4406A