PBSS5350D,115 时间：2025/9/14 12:44:11 阅读：38

PBSS5350D,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效能电源管理应用。PBSS5350D,115 通常封装在 SOT-457（TSOP-6）封装中，适合用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：10A（最大）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-457 (TSOP-6)

特性

PBSS5350D,115 的关键特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。该器件在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 25mΩ，而在 VGS=4.5V 时也保持在 35mΩ 左右，使其适用于低电压驱动电路。
　　此外，PBSS5350D,115 具有高电流处理能力，连续漏极电流可达 10A，适用于负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等高功率应用。其封装形式 SOT-457 是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。
　　该 MOSFET 还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并具备一定的抗过载能力。此外，其栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 10V），兼容多种驱动电路设计。
　　由于其卓越的性能，PBSS5350D,115 在汽车电子、工业控制、便携式设备和电源管理系统中得到广泛应用。

应用

PBSS5350D,115 主要用于以下几类应用场景：电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制部分。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在需要高效能和低损耗的电源设计中表现出色。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源转换系统、LED 照明驱动和车身控制模块。此外，PBSS5350D,115 也适用于工业自动化设备、智能电表和嵌入式系统中的功率管理单元。