时间：2025/6/27 11:28:49
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CED12N10是一种基于碳化硅（SiC）材料设计的MOSFET功率晶体管。它具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高频、高效能的应用场景。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。
额定电压：1200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：95nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-247
CED12N10采用了先进的碳化硅技术，相比传统硅基MOSFET，具备更低的导通损耗和开关损耗，从而提高了系统效率。
其高击穿电压允许在高压环境下稳定运行，同时其较低的导通电阻有助于减少发热并提高散热性能。
此外，该器件的栅极驱动要求与标准硅MOSFET兼容，简化了设计过程。
由于其出色的热稳定性和耐用性，CED12N10非常适合高温、高频及高可靠性要求的应用场合。
CED12N10主要用于需要高性能功率转换的场景，包括但不限于太阳能逆变器、电动汽车充电桩、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及各类高频开关电源。
在这些应用中，其高效的能量转换能力和快速开关特性能够显著提升系统的整体性能，并降低能源消耗。
CM120TY-10H
C2M0100120D
