时间：2025/9/14 2:05:24
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BUK963R2-40B,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理系统和负载开关应用。该器件采用先进的 Trench MOS 技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)），可在高电流负载下保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。其封装形式为 TO-220AB，适用于工业级应用和高温环境。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：80 A
最大漏源电压（VDS）：40 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：3.2 mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：130 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK963R2-40B,118 具有多个关键特性，使其适用于高功率密度和高效率电源设计。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低在高电流应用中的功率损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，优化了导通性能和开关性能之间的平衡，适用于高频率开关应用。此外，其 TO-220AB 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，能够适应恶劣的工业环境。该器件的高栅极电压容限（±20V）增强了其在复杂驱动电路中的可靠性，减少了栅极击穿的风险。此外，其高最大工作温度（175°C）确保在高负载条件下仍能稳定运行，适用于如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等应用场景。
该 MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力，有助于在瞬态过压条件下保护器件，提高系统整体的稳定性和寿命。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，进一步提升系统效率。这些特点共同使 BUK963R2-40B 成为工业、汽车和高功率消费类电子产品中的理想选择。
BUK963R2-40B,118 主要应用于高效率电源系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。其高电流能力与低导通电阻特性也使其适用于服务器电源、电信设备和工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。由于其良好的热性能和高可靠性，该 MOSFET 在高功率密度和高温环境中表现优异，是许多高性能电源设计中的首选器件。
IRF1405, STP80NF40, FDP80N40
