时间：2025/9/15 0:43:00
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PBSS4041PX,115 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中，如DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备等。其封装形式为DFN2020BD-8（SOT1124），具有良好的热性能和小型化设计，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.1A
最大漏极-源极电压（VDS）：40V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值30mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：典型值40mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：DFN2020BD-8 (SOT1124)
PBSS4041PX,115 采用先进的Trench工艺技术，确保了其在高频率和高效率应用中的优异表现。其低导通电阻特性有助于降低功率损耗，提高系统能效。该器件的最大漏极电流可达4.1A，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至150°C），表现出良好的热稳定性和可靠性。此外，其最大漏极-源极电压为40V，适用于中低压功率转换应用。
栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V和4.5V栅极驱动电压，使其兼容多种控制IC。该MOSFET具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频率操作环境。DFN2020BD-8封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，便于在高功率密度设计中使用。
此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业和消费类电子产品。
PBSS4041PX,115 适用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电池管理系统、电源管理单元（PMU）、LED驱动器以及各种电池供电设备。其高效率和小尺寸特性也使其非常适合用于便携式电子产品、工业自动化设备和智能家居控制系统。
Si2302DS-T1-GE3, FDS4410A
