时间：2025/8/4 15:47:57
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LSH6455PV 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要用于高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统。LSH6455PV 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流负载下实现更低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：0.026Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
最大栅极电压（VGS）：±20V
封装类型：PowerSSO-24
LSH6455PV 具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了能效并减少了散热需求。其次，该 MOSFET 支持高达 10A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，LSH6455PV 的栅极阈值电压范围较宽（1.0V ~ 2.5V），兼容多种控制电路，例如微控制器和专用电源管理 IC。该器件还具有较高的耐压能力，漏源电压最大可达 60V，适合用于电池供电系统和车载电子设备。
LSH6455PV 采用 PowerSSO-24 封装，具有良好的热管理性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。该封装还支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和降低 PCB 组装成本。此外，该 MOSFET 在工作温度范围内具有稳定的电气性能，确保在各种环境条件下可靠运行。
LSH6455PV 主要用于以下应用领域：首先是电源管理模块，例如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器和负载开关。其次，该器件适用于电池供电系统，如便携式电子产品、电动工具和无人机。此外，LSH6455PV 还广泛应用于汽车电子系统，例如车载充电器、LED 照明驱动器和电动助力转向系统。由于其高效率和紧凑封装，该 MOSFET 也适合用于空间受限的高密度 PCB 设计。
Si4410BDY, IRF7413PBF, AO4406A
