类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = -4.5V，52mΩ @ VGS = -2.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

AP3P021YT 采用先进的沟槽工艺，具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽（可支持 -2.5V 至 -4.5V），适用于多种电源管理应用场景。其 SOT-223 封装形式具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。
　　此外，AP3P021YT 具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和负载开关电路。该器件内置的静电放电（ESD）保护功能增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。其封装材料符合 RoHS 环保标准，适用于工业和消费类电子产品。
　　在实际应用中，AP3P021YT 的高可靠性和热稳定性使其能够在恶劣的工作环境下长时间运行，例如便携式电子设备、笔记本电脑电源管理、LED 照明控制以及电池充电管理电路等。该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，提升了系统的整体安全性。

AP3P021YT 主要用于需要高效率和低功耗的电源管理系统，例如电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、LED 照明调光控制、笔记本电脑和移动设备的电源管理模块等。此外，它也适用于工业自动化控制系统中的开关电路和智能电源分配单元。

Si2302DS, AO3401A, FDN340P, BSS84