时间：2025/12/23 22:29:47
阅读：16
CMPA0060025F是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少热损耗。
该型号属于CM系列，专为中高功率应用设计，支持表面贴装封装（SOT-23），有助于简化PCB布局并降低整体解决方案的成本。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：10nC
总电容：350pF
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 超低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中实现高效功率传输，并有效降低发热。
2. 高速开关性能使得该器件非常适合高频开关电源和DC-DC转换器应用。
3. 小型化SOT-23封装提供卓越的热性能和电气性能，同时节省电路板空间。
4. 内置反向恢复二极管，进一步优化了同步整流和其他高动态负载应用的性能。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 同步整流
4. 电池保护电路
5. 电机驱动
6. 消费类电子产品中的负载开关
7. 工业控制与自动化系统中的信号切换
IRF7404
FDP5802
AON7509
