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PBSS4032NT,215 发布时间 时间:2025/9/14 14:58:55 查看 阅读:18

PBSS4032NT,215是一款由Nexperia(安世半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高电流和高电压应用设计,广泛用于电源管理、电机控制、LED照明以及工业自动化等领域。该器件采用SOT223封装,具有良好的热性能和稳定性,适合在高功率环境下工作。PBSS4032NT,215的主要优势在于其高电流能力、低饱和电压(VCE(sat))以及出色的可靠性。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(IC):4 A
  最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
  最大集电极-基极电压(VCB):30 V
  最大发射极-基极电压(VEB):5 V
  最大功耗(Ptot):1.5 W
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT223
  增益带宽积(fT):100 MHz
  直流电流增益(hFE):在IC=2A时为110-800(根据等级不同)
  饱和电压(VCE(sat)):在IC=4A, IB=200mA时最大为0.45V

特性

PBSS4032NT,215具有多项优异的电气和热性能,适合在高要求的应用中使用。
  首先,其最大集电极电流可达4A,使其适用于高功率开关和放大电路。该晶体管的低饱和电压(VCE(sat))在最大负载条件下仍保持在0.45V以下,这有助于降低功耗并提高系统效率。此外,其集电极-发射极击穿电压为30V,适用于多种中等电压应用。
  其次,PBSS4032NT,215采用SOT223封装,具有良好的散热能力,适合在高温环境下工作。其最大功耗为1.5W,能够在相对较高的功率条件下稳定运行。
  再者,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,具体值取决于测试条件和等级。这使得设计人员可以根据需要选择合适的增益等级,以优化电路性能。
  此外,PBSS4032NT,215的频率响应可达100MHz,适合用于高频开关应用。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统效率。
  最后,该晶体管符合RoHS环保标准,不含任何有害物质,符合现代电子产品的环保要求。其高可靠性和稳定性也使其在工业和汽车电子应用中得到广泛应用。

应用

PBSS4032NT,215广泛应用于需要高电流和高电压性能的电路中,适用于多种高功率场景。
  在电源管理领域,该晶体管可用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关,其低饱和电压和高电流能力有助于提高电源转换效率并降低功耗。
  在电机控制方面,PBSS4032NT,215可用于H桥驱动电路或继电器驱动电路,控制直流电机或步进电机的运行。其高电流承受能力和良好的热稳定性使其能够在频繁开关和高负载条件下可靠工作。
  此外,该晶体管在LED照明系统中也有广泛应用,尤其是在高功率LED驱动电路中,可用于调节电流或作为开关元件,实现高效的亮度控制。
  在工业自动化和控制系统中,PBSS4032NT,215可用于PLC(可编程逻辑控制器)的输出模块、继电器驱动器以及传感器接口电路。其高可靠性和抗干扰能力使其在工业环境中表现优异。
  汽车电子也是PBSS4032NT,215的重要应用领域,可用于车载电源管理、照明系统、电动窗控制模块等。其符合AEC-Q101标准的版本(如有)可确保在恶劣的汽车环境中稳定运行。

替代型号

TIP122, BDW44C, BUW43A

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PBSS4032NT,215参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2.6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)320mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 频率 - 转换180MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)