SPD08-080-RB TR 时间：2025/8/30 14:20:53 阅读：14

SPD08-080-RB TR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，能够在保持低导通电阻的同时实现高击穿电压和优异的开关性能。SPD08-080-RB TR采用紧凑的PowerFLAT 8x8 HV封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的热管理和高功率密度。

参数

类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=100°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.36Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerFLAT 8x8 HV

特性

SPD08-080-RB TR基于STMicroelectronics的MDmesh? DM2技术，这项技术显著降低了导通损耗并提升了器件的开关性能。其800V的漏源电压额定值使其适用于多种高电压应用，例如电源适配器、LED照明、电动工具和家电中的电源部分。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高耐用性，能够在高温环境下稳定运行。
　　PowerFLAT 8x8 HV封装不仅提供了紧凑的外形尺寸，还优化了散热性能，适用于需要高效热管理的设计。该封装具备高绝缘耐压能力，能够满足多种安全标准的要求。SPD08-080-RB TR的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，方便与多种控制器和驱动器配合使用。该器件的快速开关能力减少了开关损耗，使其非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
　　该MOSFET还具备出色的短路和过载保护能力，提高了系统的可靠性和稳定性。此外，SPD08-080-RB TR符合RoHS环保标准，无铅封装设计符合现代电子产品的环保要求。

应用

SPD08-080-RB TR适用于多种中高功率应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动器、电动工具电源、工业自动化设备以及家电中的电源模块。由于其高电压额定值和低导通电阻，该器件特别适合用于功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器和逆变器等需要高效能功率开关的场合。此外，它也可用于电池管理系统、电机控制以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的功率转换部分。