SI3012-KS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装(KS 封装),具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和功率转换应用。SI3012-KS 的设计使其在便携式设备、计算机外设以及其他低电压应用中表现出色。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:5.4A
导通电阻(典型值):16mΩ
总功耗:790mW
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:KS
SI3012-KS 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 小尺寸 KS 封装,节省 PCB 空间,非常适合空间受限的设计。
4. 较宽的工作温度范围,确保其在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
SI3012-KS 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类消费类电子产品中的保护电路和信号切换。
SI3012DN, SI3012DS