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SI3012-KS 发布时间 时间:2025/4/27 14:28:21 查看 阅读:6

SI3012-KS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装(KS 封装),具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和功率转换应用。SI3012-KS 的设计使其在便携式设备、计算机外设以及其他低电压应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:5.4A
  导通电阻(典型值):16mΩ
  总功耗:790mW
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:KS

特性

SI3012-KS 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 小尺寸 KS 封装,节省 PCB 空间,非常适合空间受限的设计。
  4. 较宽的工作温度范围,确保其在极端环境下仍能稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

SI3012-KS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各类消费类电子产品中的保护电路和信号切换。

替代型号

SI3012DN, SI3012DS

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SI3012-KS参数

  • 标准包装48
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭接口 - 调制解调器 - IC 和模块
  • 系列ISOcap™
  • 数据格式V.90
  • 波特率-
  • 电源电压3.3 V ~ 5 V
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装16-SOIC N
  • 包装管件