CSF501D 时间：2025/8/2 3:41:03 阅读：5

CSF501D 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和高开关速度的特性，适用于各种中高功率应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：5.6A
　　最大漏源电压 (VDS)：100V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：0.38Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散 (PD)：1.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

CSF501D MOSFET 的设计旨在提供高效的功率转换性能。其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率。
　　该器件的高漏源电压额定值（100V）使其适用于中高压应用，如电源适配器、开关电源和工业控制系统。
　　CSF501D 的高栅源电压耐受能力（±20V）增强了其在复杂开关环境中的可靠性，减少了因过电压而导致的损坏风险。
　　该 MOSFET 的 TO-220AB 封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高电流应用中保持稳定的工作温度。
　　此外，CSF501D 的高电流承载能力（5.6A）使其适用于需要高输出功率的电路，例如电机驱动器和负载开关。
　　其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如 PWM 控制和 DC-DC 转换器。

应用

CSF501D 主要用于需要高效功率管理的电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电源管理系统和工业自动化设备。
　　在电源管理方面，CSF501D 可用于高效率的电源适配器和电池充电器，其低导通电阻和高电流能力可确保稳定的输出。
　　在电机控制应用中，CSF501D 可作为 H 桥结构中的开关元件，提供高效的双向电机驱动能力。
　　在工业自动化系统中，该 MOSFET 可用于控制各种高功率负载，如继电器、电磁阀和加热元件。
　　此外，CSF501D 也可用于 UPS（不间断电源）系统和 LED 照明驱动电路，以提供高效的电源转换和调节功能。