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G78D12AT45U 发布时间 时间:2025/7/22 16:54:50 查看 阅读:4

G78D12AT45U 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器(ASRAM),专为需要高速数据访问和低功耗的应用设计。这款SRAM具有128K x 16位的存储容量,采用先进的CMOS工艺制造,提供高性能和低功耗特性,适用于网络设备、通信系统、工业控制和高端消费电子等多种应用。

参数

容量:128K x 16位
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据保持电压:1.5V
  最大待机电流:10mA

特性

G78D12AT45U 是一款高性能的异步SRAM,其主要特点包括快速的访问时间(10ns)和低功耗设计,使其适用于需要高速数据处理的应用。该芯片在2.3V至3.6V的宽电压范围内工作,具有良好的电源适应性,同时支持数据保持模式,能够在低至1.5V的电压下保持数据完整性,从而在系统断电或进入低功耗状态时有效保护关键数据。
  该SRAM采用CMOS工艺制造,提供了出色的抗噪能力和稳定性,适用于高可靠性应用环境。其异步接口设计简化了与外部控制器的连接,降低了系统设计复杂度。此外,G78D12AT45U 还具备高速读写能力,支持高速缓存和临时数据存储应用,适用于路由器、交换机、嵌入式系统等高性能系统设计。
  封装方面,该芯片采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装体积和良好的热稳定性,适用于空间受限的设计环境。其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,可在各种恶劣环境下稳定运行。

应用

G78D12AT45U 适用于多种高性能存储应用,如网络设备中的高速缓存、通信系统中的数据缓冲、工业控制系统的临时存储以及嵌入式系统的高速数据处理。其高速访问特性和低功耗设计使其成为对性能和能效均有较高要求的电子设备的理想选择。此外,该芯片也可用于测试设备、医疗电子设备以及高端消费电子产品中,作为临时数据存储单元使用。

替代型号

CY7C1512KV18-10BZC, IS61LV25616-10B4I

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