时间：2025/9/14 7:18:39
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PBSS305ND,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench MOSFET技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和良好的热性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等高效率电源系统中。其封装形式为SOT223，适合表面贴装，具备良好的散热能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：11A
功耗（Ptot）：2.5W
导通电阻（RDS(on)）：最大55mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT223
PBSS305ND,115具有多项优异的电气和热性能特点，适用于高性能电源管理系统。其主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达11A的连续漏极电流，适用于需要高电流输出的应用。此外，其最大漏源电压为30V，支持较宽的工作电压范围。
该MOSFET采用SOT223封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。其最大功耗为2.5W，能够在较高的环境温度下稳定工作。栅源电压可支持至±20V，提供更高的栅极驱动灵活性，同时具备较强的抗过压能力。
此外，PBSS305ND,115的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车应用。其可靠性和稳定性经过严格测试，可确保在高负载和长时间运行条件下仍保持良好的性能。
PBSS305ND,115广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。在便携式电子设备中，该器件可用于高效电源转换，延长电池使用寿命。在工业控制系统中，它可作为功率开关用于控制电机、继电器和各种执行器。
由于其高电流能力和低导通电阻，PBSS305ND,115也适用于高效率的同步整流应用，例如在反激式和正激式开关电源中替代传统的肖特基二极管，以减少整流损耗并提高整体效率。此外，该器件还可用于LED照明驱动电路，提供稳定的电流控制。
在汽车电子系统中，PBSS305ND,115可用于车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其特别适合在恶劣的汽车环境中使用。
SiSS23DN, Si4410DY, FDS4410A, IRF7413PBF, AO4406A
