SH21B682K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高耐压能力,能够有效提升系统的效率与稳定性。
类型:MOSFET
封装:TO-220
最大漏源电压:650V
最大连续漏极电流:25A
导通电阻:0.18Ω
总功耗:200W
工作温度范围:-55℃至+150℃
SH21B682K250CT 具备以下显著特性:
1. 低导通电阻设计,有助于降低功率损耗,提高整体系统效率。
2. 高耐压能力(650V),使其适用于多种高压应用环境。
3. 快速开关性能,减少开关损耗并支持高频操作。
4. 良好的热性能,确保在大电流负载下的稳定运行。
5. TO-220 封装形式,便于散热及安装,适合工业级应用需求。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业逆变器
5. 各类电力电子设备中的功率变换模块
IRF840, STP17NF50