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W63AH6NBVABI 发布时间 时间:2025/8/20 8:07:34 查看 阅读:22

W63AH6NBVABI是一款由Winbond公司生产的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其W63A系列。该芯片设计用于满足高带宽和低延迟需求的应用场景,适用于需要大量数据处理的电子设备和系统。作为一款异步DRAM,W63AH6NBVABI具备高速数据存取能力,能够在多种工作条件下保持稳定性能。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:8M x 8
  工作电压:2.3V至3.6V
  访问时间:55ns(最大)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据输出:三态缓冲输出
  时钟频率:异步操作,无固定时钟频率
  功耗:典型工作电流约100mA

特性

W63AH6NBVABI的核心特性之一是其高速数据访问能力,访问时间仅为55ns,使其适用于对响应时间要求较高的应用。该芯片的异步设计使其能够在没有固定时钟信号的情况下工作,简化了系统设计并提高了灵活性。此外,该DRAM芯片支持三态输出,允许直接连接到总线系统,减少外部缓冲需求。
  W63AH6NBVABI采用低功耗设计,在保持高性能的同时,确保设备在运行过程中不会产生过多热量,适合嵌入式系统和便携式设备使用。该芯片的宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源供应方案,提高了在不同应用环境下的适用性。
  封装方面,W63AH6NBVABI采用TSOP封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。此外,它支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在极端环境条件下仍能可靠运行。

应用

W63AH6NBVABI广泛应用于需要大容量、高速存储的嵌入式系统,例如网络设备、工业控制设备、消费类电子产品(如智能电视、机顶盒)、图像处理设备以及通信模块等。其异步接口设计使其特别适用于与传统微处理器或微控制器配合使用的场景。此外,由于其低功耗和宽温度范围,该芯片也常用于户外设备和工业自动化系统。

替代型号

W63AH6NBADALL W63AH6NBVAALL W63AH8NBVAALL W63AH16NBVAALL

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W63AH6NBVABI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格189 : ¥39.71206托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口HSUL_12
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳178-VFBGA
  • 供应商器件封装178-VFBGA(11x11.5)