PBSS304PD,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体分拆出来的公司)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用TSDSO6封装形式。该器件专为高效率电源管理应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池供电设备等应用场景。该MOSFET具备较高的热稳定性和可靠性,适合在紧凑型电子设备中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):4.9A
导通电阻(RDS(on)):最大45mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on)):最大55mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TSDSO6
PBSS304PD,115 的主要优势在于其低导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件的TSDSO6封装形式非常适用于空间受限的高密度PCB设计。此外,该MOSFET具备优异的热性能,能够在较高温度下稳定运行,提升了系统整体的可靠性和耐用性。
其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(例如5V),便于与数字控制器或驱动IC配合使用。该MOSFET的开关速度快,降低了开关损耗,适合用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC降压/升压转换器等。
此外,PBSS304PD,115 通过了AEC-Q101汽车级认证,适用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统等。这使得该器件在工业和汽车应用中都具有较高的市场认可度和稳定性。
PBSS304PD,115 主要应用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理系统。典型应用包括便携式电子设备的电源管理、DC-DC转换器、负载开关控制、LED照明驱动电路、电机控制以及汽车电子中的电源转换模块。由于其具备AEC-Q101认证,该器件也广泛用于汽车系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统等。此外,在工业自动化和智能电表中,该MOSFET可用于实现高效的电源开关和能量管理。
Si2302DS, BSS138K, AO3400A, FDS6675, NVTFS5C471NL