时间：2025/8/13 22:43:24
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LMUN5215T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），专为通用放大和开关应用设计。该器件采用 SOT-23 封装，适用于需要小尺寸和高性能的电路设计。LMUN5215T1G 具有良好的热稳定性和高频响应，适用于音频放大器、电源管理、信号处理等应用。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Pd）：300mW
最大工作温度：150°C
电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
过渡频率（fT）：100MHz
封装类型：SOT-23
LMUN5215T1G 晶体管具有优异的电流增益和高频响应能力，适用于多种通用放大和开关应用。其高击穿电压（30V）使其能够在较高电压环境下稳定工作，同时具备良好的热稳定性，能够有效降低温度变化对电路性能的影响。该器件的 SOT-23 小型封装设计有助于节省电路板空间，适用于高密度 PCB 布局。此外，LMUN5215T1G 具有较低的饱和压降，有助于提高能效并减少功耗。
该晶体管还具备良好的线性度和低噪声特性，适合用于音频放大器和信号处理电路。由于其 hFE 值范围较宽（110 - 800），可以根据具体应用需求选择不同增益等级的器件，提高了设计的灵活性。LMUN5215T1G 的高频性能使其在射频（RF）前端电路和高速开关应用中表现出色，适合用于通信设备和工业控制系统。
LMUN5215T1G 主要应用于通用放大器、音频放大电路、开关电路、电源管理模块、信号处理电路、工业控制设备、消费类电子产品（如音频设备和便携式电子产品）等。该晶体管的高频特性也使其适用于射频前端电路和无线通信模块。
BC847, 2N3904, PN2222, MMBT3904
