FN15X471K500PNG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于功率转换和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,在保持低导通电阻的同时,优化了开关性能和热特性。
FN15X471K500PNG属于增强型N沟道MOSFET,适合在高频和高效率的电力电子应用中使用,例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等场景。
类型:N沟道MOSFET
封装形式:PNGL
额定电压:471V
额定电流:15A
导通电阻(典型值):500mΩ
栅极电荷(Qg):25nC
输入电容(Ciss):1800pF
总功耗:25W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 高击穿电压设计,确保器件在高压环境下具有良好的稳定性和可靠性。
2. 超低导通电阻,减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度,降低开关损耗。
4. 强大的抗雪崩能力,能够承受瞬态过压条件。
5. 优化的热阻性能,有助于提升散热效果。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
7. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
FN15X471K500PNG广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池保护电路
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
7. LED驱动和照明应用
由于其高压和大电流特性,这款MOSFET特别适合于需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
FQP17N25
STP16NF06