类型：高压栅极驱动器
　　通道类型：半桥驱动器（高侧/低侧）
　　最大供电电压：1200 V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3 V / 5 V 兼容
　　输出峰值电流：+/- 4 A（典型值）
　　传播延迟时间：< 80 ns
　　上升时间（典型值）：< 15 ns
　　下降时间（典型值）：< 15 ns
　　死区时间：内置互锁逻辑防止直通
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　关断状态输入漏电流：±100 nA（最大）
　　自举二极管集成：是
　　UVLO（欠压锁定）保护：有
　　封装类型：SO-16N 或 PowerSSO-16
　　隔离耐压能力：符合IEC 60747-7标准

ST3400S23RG的核心特性之一是其高集成度与高可靠性，能够有效简化功率电路的设计复杂度。该芯片内部集成了独立的高侧与低侧驱动通道，并通过电平位移技术实现浮动高侧驱动，使其能够在高频开关条件下稳定工作于数百伏甚至上千伏的开关节点（SW）电压环境中。其输入逻辑接口具有出色的噪声抑制能力，支持TTL和CMOS电平直接驱动，无需额外的电平转换电路。这使得它能够无缝对接微控制器、DSP或PWM控制器输出信号。
　　另一个关键特性是内置了多项保护机制，包括但不限于欠压锁定（UVLO）、过流保护配合外部检测电阻使用、以及防直通的互锁逻辑。这些功能显著提升了系统的安全性和长期运行稳定性。特别是其集成的自举二极管，不仅减少了外部元件数量，还优化了充电路径效率，避免因外部二极管失效而导致驱动异常。
　　该器件具备极快的开关响应速度，传播延迟短且匹配良好，保证上下管驱动信号之间的同步性，从而降低死区时间需求，提升逆变器或转换器的调制精度。同时，输出级采用图腾柱结构，提供强大的拉电流和灌电流能力（高达±4A），可快速充放电MOSFET栅极电容，减小开关损耗，尤其适合用于碳化硅（SiC）MOSFET这类对驱动速度要求极高的新型宽禁带器件。
　　在热管理方面，PowerSSO-16封装提供了更低的热阻，有利于将芯片产生的热量高效传导至PCB，增强系统在高负载条件下的持续运行能力。此外，器件在整个温度范围内具有稳定的电气性能，即使在极端工业环境条件下也能保持一致的驱动表现。

ST3400S23RG广泛应用于需要高效、高可靠性功率开关驱动的各种电力电子设备中。典型应用场景包括工业电机驱动器，如伺服驱动器、变频器（VFD）以及泵类控制系统，在这些系统中，它用于驱动三相逆变桥中的IGBT或MOSFET模块，实现精确的矢量控制和能量回馈。
　　在可再生能源领域，该芯片常用于太阳能逆变器和储能系统中的DC-AC转换环节，作为核心驱动单元，确保光伏阵列产生的直流电高效转化为交流电并入电网。其高耐压能力和快速响应特性非常适合处理高母线电压下的频繁开关操作。
　　此外，ST3400S23RG也适用于感应加热设备、UPS不间断电源、电动汽车车载充电机（OBC）以及充电桩内的辅助电源和主逆变电路。尤其是在碳化硅功率器件日益普及的背景下，该驱动器因其优异的驱动强度和兼容性，成为推动新一代高效电源系统发展的关键组件。
　　在消费类高端家电中，例如变频空调、洗衣机和冰箱的压缩机驱动模块中也有应用潜力。总体而言，任何涉及高压半桥或全桥拓扑结构的开关电源、逆变器或电机控制器均可考虑采用ST3400S23RG来提升系统集成度与运行效率。

STGAP2SNS
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　　UCC21520