时间：2025/9/13 22:58:34
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PBSS301PZ,135是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效能、低电压应用而设计，适用于电池供电设备、电源管理及负载开关等场景。其封装形式为TSOP，具备良好的热性能和空间利用率，非常适合紧凑型电子设备的使用。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
功率耗散（PD）：2.5W
阈值电压（VGS(th)）：-1.5V至-2.5V
输入电容（Ciss）：650pF（@VDS=15V）
PBSS301PZ,135采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻，从而降低功率损耗并提高系统效率。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持优异的性能，适合使用在3.3V或5V逻辑控制的电路中。此外，其高雪崩能量能力和良好的热稳定性使其在恶劣环境下也能可靠运行。
该MOSFET具有快速开关特性，减少开关损耗并提高整体系统效率。其TSOP封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。PBSS301PZ,135还具备高可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的电源管理应用。
PBSS301PZ,135广泛应用于多个领域，包括便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。由于其高效率和紧凑封装，它特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电池供电系统。此外，它也可用于汽车电子中的各种控制模块和照明系统。
在工业自动化和通信设备中，PBSS301PZ,135可用于高效能电源管理、负载切换和功率控制应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于严苛工业环境下的应用。同时，该器件也适用于各种消费类电子产品，如音频放大器、LED照明驱动和智能家电控制系统。
SI4435DY-T1-GE3
IRFR9024NPBF
FDS4435BZ
