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PESD5V0L2BT 发布时间 时间:2025/5/7 10:14:49 查看 阅读:26

PESD5V0L2BT 是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门设计用于保护高速信号线和数据接口免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过压瞬态的影响。该器件采用双向配置,可为正负方向的过压事件提供对称的保护。其超低电容特性使得它非常适合高速应用,例如 USB 3.1、HDMI 2.0 和其他高频信号线路。
  PESD5V0L2BT 具有出色的钳位性能,能够在纳秒级的时间内响应瞬态电压威胁,并将其限制在安全范围内以保护后端电路。此外,它的封装小巧,便于在空间受限的设计中使用。

参数

工作电压:5V
  峰值脉冲电流:±18A(8/20μs)
  最大反向工作电压:5.6V
  击穿电压:6V
  箝位电压:12.8V
  结电容:0.4pF(典型值)
  响应时间:≤1ps
  漏电流:±1μA(最大值,@VRWM=5.6V)
  封装形式:DFN1006-2 (1.0x0.6mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PESD5V0L2BT 提供卓越的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准,能够承受 ±30kV(空气放电)和 ±30kV(接触放电)。其极低的电容不会显著影响高速信号的完整性,确保信号传输质量不受损害。
  此外,该器件具备高能效和高可靠性,适合长期运行于严苛环境下的设备中。其小型化封装有助于简化 PCB 布局设计,同时降低整体解决方案的成本。
  主要特点包括:
  - 双向保护配置
  - 极低电容(0.4pF 典型值)
  - 高速信号兼容性
  - 超快响应时间(≤1ps)
  - 小巧封装(DFN1006-2)
  - 广泛的工作温度范围
  - 符合 RoHS 和无卤素标准

应用

PESD5V0L2BT 广泛应用于各种需要高速信号保护的场景,特别是在消费电子、通信设备和工业自动化领域。
  典型应用包括:
  - USB 3.1 端口保护
  - HDMI 2.0 和 DisplayPort 数据线保护
  - 高速串行接口(如 SATA 和 PCIe)保护
  - 移动设备中的射频(RF)线路保护
  - 汽车电子系统的高速总线保护
  - 工业控制设备中的信号链路保护
  - 光学模块和网络设备中的保护电路
  由于其出色的性能和小型化设计,PESD5V0L2BT 成为现代电子系统中不可或缺的保护元件。

替代型号

PESD5V0UA2CT, PESD5V0L2BA

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