SS10015M-TL-E是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出的单极性静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据接口和精密电子设备的瞬态电压抑制而设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装(DFN1006-2),适用于空间受限且对可靠性要求较高的便携式电子产品。SS10015M-TL-E主要用于防止因人体模型(HBM)、机器模型(MM)或充电器件模型(CDM)引起的静电放电损害,同时也能有效抑制系统中常见的电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击感应浪涌。其低电容特性确保了在高速信号传输过程中不会引入明显的信号失真或衰减,因此广泛应用于USB、HDMI、音频线路、触摸屏控制器等高速模拟与数字接口保护场景中。
该芯片的工作温度范围通常为-40°C至+125°C,满足工业级应用需求,并符合RoHS环保标准及无卤素要求。产品采用卷带包装(Tape and Reel, -TL表示),适合自动化贴片生产流程,提升制造效率。作为一款高性能的片式ESD保护器件,SS10015M-TL-E凭借其优异的响应速度、低漏电流和高可靠性,在消费类电子、通信设备、可穿戴设备以及汽车电子等领域得到了广泛应用。
型号:SS10015M-TL-E
类型:单向ESD保护二极管
工作电压(VRWM):15V
击穿电压(VBR min):16.7V
最大钳位电压(VC @ IPP):25.4V(IPP=1A)
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
结电容(Cj):典型值0.4pF(@ 1MHz)
漏电流(IR):最大1nA(@ VRWM)
反向耐压(VRWM):15V
封装形式:DFN1006-2(1.0×0.6×0.5mm)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
焊接方式:回流焊(Refow Soldering)
环保标准:符合RoHS、无卤素(Halogen Free)
SS10015M-TL-E具备极低的结电容(典型值仅为0.4pF),这一特性使其非常适合用于高频信号线路的ESD防护,例如高速USB 2.0、HDMI、MIPI等接口。在这些应用场景中,若保护元件的寄生电容过大,会导致信号完整性下降,出现反射、串扰或带宽衰减等问题。而该器件的超低电容几乎不会对原始信号造成影响,保证了数据传输速率和稳定性。此外,其极快的响应时间(小于1纳秒)能够在静电事件发生的瞬间迅速导通,将瞬态高压能量泄放到地,从而有效保护后端敏感IC不受损伤。
该器件采用单向结构设计,适用于直流偏置电压稳定的电源轨或信号线保护。当线路电压超过击穿电压(最小16.7V)时,器件进入雪崩击穿状态,提供低阻抗泄放路径。其最大钳位电压为25.4V(在1A浪涌电流下),能够将瞬态电压限制在安全范围内,避免下游电路遭受过压损坏。同时,SS10015M-TL-E具有非常低的漏电流(最大1nA),即使在长期工作状态下也不会产生额外功耗或温升,这对于电池供电的移动设备尤为重要。
从可靠性角度看,该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电,±15kV空气放电)的严格测试标准,表明其在极端静电环境下仍能保持稳定性能。封装采用先进的DFN1006-2小型化设计,不仅节省PCB空间,还优化了热传导路径,提升了散热效率。内部结构使用铜夹片连接工艺(Copper Clip),降低了内阻和热阻,增强了功率承受能力。整体设计兼顾了电气性能、机械强度和长期耐用性,是现代高密度电子系统中理想的ESD防护解决方案。
SS10015M-TL-E主要应用于需要高精度、低噪声和高速信号完整性的电子接口保护场合。常见于智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、耳机插孔、触摸屏传感器信号线以及摄像头模组的数据传输线路。在这些设备中,用户频繁插拔外设或直接接触接口端子,极易引发静电放电,因此必须配备高效的ESD保护器件以延长产品寿命并提升用户体验。
此外,该器件也广泛用于笔记本电脑、智能手表、AR/VR头显等可穿戴设备的高速差分信号通道保护。在工业控制领域,可用于PLC模块、传感器接口、人机交互面板等对环境适应性和稳定性要求较高的系统中。由于其符合AEC-Q101车规认证潜力(需确认具体批次),也可应用于车载信息娱乐系统的音频/视频接口、USB充电端口等部位。
在通信设备方面,如路由器、交换机、光模块中的低速控制信号线,同样可以采用SS10015M-TL-E进行瞬态抑制保护。其小型封装特别适合高密度PCB布局,有助于缩小终端产品的体积。总体而言,任何存在静电风险且要求低电容、低漏电的直流或单极性信号线路,都是SS10015M-TL-E的理想应用场景。
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