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S176 发布时间 时间:2025/8/21 19:55:02 查看 阅读:13

S176 是一款常用的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于功率放大器、开关电源和电机驱动等应用中。该器件具有高导电性和低导通电阻的特点,适用于高频和高功率操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.3Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(PD):40W

特性

S176 MOSFET具有多个显著特性,使其在电子设计中备受青睐。首先,其低导通电阻(RDS(on))可减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,S176的高漏源击穿电压(60V)允许其在中高电压应用中稳定工作。此外,该器件的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,适用于高功率应用场景。S176还具备快速开关能力,适用于高频开关电路,如DC-DC转换器和PWM电机控制。其栅极驱动要求较低,兼容常见的逻辑电平驱动器,简化了驱动电路设计。此外,S176具备较高的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等严苛环境。
  该器件的制造工艺确保了其在高温下的稳定性,减少了因热失控导致的故障风险。同时,S176的高输入阻抗特性使其功耗低,并减少了对驱动电路的负担。这些特性使其成为一款适用于多种功率电子系统的理想选择。

应用

S176 MOSFET主要应用于以下领域:1)开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器中的功率开关;2)电机控制电路,如直流电机驱动和步进电机控制;3)功率放大器,用于音频和射频信号放大;4)电池管理系统,用于充放电控制和保护电路;5)LED驱动电路,用于高效恒流控制;6)工业自动化设备中的功率开关控制;7)汽车电子,如车载充电器、起动电机控制器等。由于其高可靠性和良好的热管理特性,S176也常用于需要长时间连续运行的设备中。

替代型号

IRF540N, FQP10N60C, STP10NK60Z, 2SK2647

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