PBRN113ZT 时间：2025/9/14 10:55:36 阅读：6

PBRN113ZT 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等中高功率电子设备中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性。PBRN113ZT 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，便于在 PCB 上安装和散热管理。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大漏极电流 Id：80A
　　导通电阻 Rds(on)：1.3mΩ（典型值）
　　栅极电压 Vgs：±20V
　　功率耗散 Pd：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PBRN113ZT 具备多项优良特性，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，使其在高电流应用中表现出色。该器件采用罗姆先进的沟槽栅极结构技术，提升了载流子密度并优化了电场分布，从而实现了更低的导通压降和更高的开关速度。
　　其次，PBRN113ZT 具备优异的热稳定性与高功率耗散能力，在高负载条件下仍能保持稳定工作，延长了器件的使用寿命。其 TO-252（DPAK）封装设计不仅支持表面贴装工艺，还具有良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。
　　此外，该 MOSFET 内置防静电保护结构，提高了器件在实际应用中的可靠性，降低了因静电放电（ESD）导致的失效风险。PBRN113ZT 还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关应用如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路等。

应用

PBRN113ZT 广泛应用于多种中高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 电源管理系统：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、服务器电源和工业控制设备。
　　2. 电机驱动电路：用于无刷直流电机、步进电机等驱动系统，提供高效率和稳定的电流控制。
　　3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统和便携式设备中作为主开关或充放电控制开关。
　　4. 工业自动化设备：用于工业逆变器、PLC 控制模块、智能电表等设备中的功率开关和保护电路。
　　5. 汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）及各类车载电源模块。