时间：2025/7/11 15:32:52
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1928405162 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片的主要特点是其卓越的热性能和可靠性，适用于高电流密度的应用场景。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和高效散热。
型号：1928405162
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1928405162 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，可实现高频操作，适合现代电力电子应用。
3. 高电流处理能力，支持大功率负载。
4. 优秀的热性能，能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 高可靠性和长寿命设计，确保在严苛条件下的持续使用。
6. 封装形式符合RoHS标准，环保且易于集成到各种电路中。
1928405162 主要用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动，如电动汽车、伺服电机和家用电器中的无刷直流电机控制。
3. DC-DC转换器，例如降压、升压和反激式拓扑结构。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 通信电源和其他需要高效功率转换的应用场景。
1928405150, IRFP2907, FDP17N60
