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AUIRFS6535TRL 发布时间 时间:2025/4/28 15:45:59 查看 阅读:2

AUIRFS6535TRL是一款专为汽车应用设计的高性能MOSFET功率晶体管,采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。
  该MOSFET基于先进的硅工艺制造,能够在高频工作条件下提供高效能表现,同时其坚固的设计能够承受恶劣的汽车环境条件,例如高温、振动和电气瞬态。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8.6A
  导通电阻:1.1Ω
  栅极电荷:34nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

AUIRFS6535TRL具备出色的电气性能和可靠性,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在大电流应用中减少功耗和发热。
  2. 快速开关能力,适合高频操作,降低开关损耗。
  3. 高耐压能力(650V)使器件能在高压环境下稳定运行。
  4. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车级应用中的长期可靠性。
  5. 热增强型封装设计,有助于更有效的散热管理。
  6. 内置反向恢复二极管,简化电路设计并提高效率。

应用

这款功率MOSFET适用于广泛的汽车电子系统,具体应用场景包括:
  1. 汽车DC-DC转换器模块,用于电池电压调节。
  2. 负载开关和保护电路,控制不同负载的供电状态。
  3. 电机驱动电路,支持电动车窗、雨刷、座椅调整等功能。
  4. LED驱动器,提供高效稳定的电流输出。
  5. 各类电源管理单元,如启停系统或辅助电源供应。
  AUIRFS6535TRL凭借其卓越的性能和稳定性,成为现代汽车电子设计的理想选择。

替代型号

IRFS6535TRPBF

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AUIRFS6535TRL参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压300 V
  • 漏极连续电流19 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)148 mOhms
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK
  • 封装Reel
  • 功率耗散210 W