时间：2025/5/30 14:19:16
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RRS100N03-TB是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关等应用领域。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效能功率管理的理想选择。
该型号属于STMicroelectronics（意法半导体）旗下的产品系列，主要面向工业和消费类电子市场。通过优化的制造工艺，RRS100N03-TB能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的性能表现。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：26W
工作温度范围(Ta)：-55℃至175℃
封装形式：TO-252
RRS100N03-TB具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关特性，适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性，能够适应广泛的温度范围。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和集成。
这些特性使得RRS100N03-TB在各类电力电子设备中表现出色，尤其在需要高效率和紧凑设计的应用场景中。
RRS100N03-TB广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心组件。
3. 各类负载开关，用于动态控制电路中的电流流动。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 保护电路中的快速响应开关。
凭借其优越的性能指标，RRS100N03-TB特别适合于对效率和可靠性要求较高的场合。
RRS100N03L, IXTT100N03T4, FDP100N03LD
