时间：2025/9/15 0:01:11
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PBHV9560Z 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的高压技术制造，适用于需要高耐压和高效率的应用场景。该器件具备良好的热稳定性和高可靠性，广泛应用于工业控制、电源管理和照明系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25°C：2.5A
功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220AB
PBHV9560Z 采用先进的高压制造工艺，具备出色的击穿电压能力和优异的导通电阻特性，从而在高电压应用中实现更低的功率损耗。
该器件的栅极氧化层经过优化设计，提供更高的栅极稳定性，并支持在宽电压范围内稳定工作。
PBHV9560Z 还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定的性能，提高系统的可靠性。
其封装形式（TO-220AB）具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计场景。
此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，以提高系统效率。
PBHV9560Z 主要应用于高压电源系统，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制、工业自动化设备以及高电压电池管理系统等。
该器件也可用于高侧开关、负载开关和电源适配器等设计中，提供高效的功率控制解决方案。
此外，其出色的高压耐受能力和热稳定性使其适用于恶劣工作环境中的电力电子设备。
STW9NK60Z, FQA2N60C, IRFB9N60A
