时间：2025/7/23 1:20:54
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STD17NF25是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于高效率电源转换和功率控制应用，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
漏极电流（ID）：17A（25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：34nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、D2PAK
STD17NF25具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流容量和耐压能力使其在高功率应用中表现出色。此外，其封装形式具有良好的热管理能力，有助于散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。
在结构设计上，STD17NF25采用了先进的平面技术，提高了可靠性和耐用性。它具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。此外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，可与常见的控制器或驱动器直接配合使用，简化了电路设计。
STD17NF25广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器、UPS系统、照明控制和电池管理系统。由于其高耐压和大电流能力，它也适用于工业自动化和电动汽车中的功率控制模块。
STP17NF25, FDP17NF25, IRFQ17N25
