PBH308 时间：2025/8/22 21:34:46 阅读：25

PBH308 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流和高频应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。PBH308 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中。其封装形式为小型表面贴装型封装（通常为SOT-23或DFN封装），适用于高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.8Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23、DFN等

特性

PBH308 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适用于多种功率管理应用。其低导通电阻 Rds(on) 保证了在小电流应用中具有较低的功率损耗，提高系统的能效。器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在 1.8V 到 20V 之间，使其能够兼容多种控制电路，如微控制器或PWM控制器的输出。
　　此外，PBH308 具备良好的热稳定性，能够在高工作温度下保持稳定的性能，确保在高温环境下运行的可靠性。其小型封装设计不仅节省空间，也便于自动化生产和PCB布局。由于其低漏电流特性，在关闭状态下能有效减少待机功耗，适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件的高可靠性使其在工业控制、消费电子和便携式设备中广泛应用。例如，在负载开关电路中，PBH308 可作为高效能的电子开关，控制电源的通断；在DC-DC转换器中，它能够作为同步整流器使用，提高转换效率；在电机驱动或LED驱动电路中，该MOSFET可提供稳定且可控的电流输出。

应用

PBH308 MOSFET 主要用于需要低功耗、高效率和小尺寸封装的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电源开关、DC-DC升压或降压转换器、负载开关、LED驱动电路、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及各种低电流控制电路。此外，它也适用于工业自动化控制系统、传感器接口电路以及智能家居设备中的电源管理模块。