PBH308 是一款由 Rohm(罗姆)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电流和高频应用而设计,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。PBH308 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中。其封装形式为小型表面贴装型封装(通常为SOT-23或DFN封装),适用于高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100mA
导通电阻(Rds(on)):约1.8Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23、DFN等
PBH308 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能,适用于多种功率管理应用。其低导通电阻 Rds(on) 保证了在小电流应用中具有较低的功率损耗,提高系统的能效。器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在 1.8V 到 20V 之间,使其能够兼容多种控制电路,如微控制器或PWM控制器的输出。
此外,PBH308 具备良好的热稳定性,能够在高工作温度下保持稳定的性能,确保在高温环境下运行的可靠性。其小型封装设计不仅节省空间,也便于自动化生产和PCB布局。由于其低漏电流特性,在关闭状态下能有效减少待机功耗,适用于电池供电设备以延长续航时间。
该器件的高可靠性使其在工业控制、消费电子和便携式设备中广泛应用。例如,在负载开关电路中,PBH308 可作为高效能的电子开关,控制电源的通断;在DC-DC转换器中,它能够作为同步整流器使用,提高转换效率;在电机驱动或LED驱动电路中,该MOSFET可提供稳定且可控的电流输出。
PBH308 MOSFET 主要用于需要低功耗、高效率和小尺寸封装的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电源开关、DC-DC升压或降压转换器、负载开关、LED驱动电路、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及各种低电流控制电路。此外,它也适用于工业自动化控制系统、传感器接口电路以及智能家居设备中的电源管理模块。
2N7002, FDV301N, BSS138, Si2302DS, AO3400A