时间：2025/9/6 9:05:30
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PB0026NLT是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能与低导通电阻的场合，如DC-DC转换器、电源管理系统以及负载开关等。该器件采用高密度技术制造，具备良好的热稳定性和电性能，适用于工业和消费类电子产品。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：26mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：45W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
PB0026NLT具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其26mΩ的Rds(on)在同类产品中具有竞争力，能够在高电流负载下保持较低的温升。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具备良好的抗干扰能力，适用于多种栅极驱动电路设计。同时，PB0026NLT采用了高可靠性封装技术，能够有效散热，提升整体系统稳定性。
此外，PB0026NLT的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于宽温度范围环境下的应用，如工业自动化设备、汽车电子系统等。其45W的最大功率耗散能力，使其在高功率负载条件下也能保持稳定运行。
该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，在高频应用中表现优异。例如，在DC-DC转换器、同步整流器以及马达控制电路中，PB0026NLT均能提供出色的性能。
PB0026NLT主要应用于电源管理领域，包括但不限于以下场景：DC-DC转换器中的高侧或低侧开关、负载开关控制、马达驱动电路、电池供电设备的功率控制、工业自动化系统的电源模块等。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动电路等，具备良好的环境适应性和可靠性。
Si4446DY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413, AO4406A
