型号：IXTH10N100D
　　制造商：Littelfuse (IXYS)
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1000 V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30 V
　　连续漏极电流(Id)：10 A (Tc=25°C)
　　脉冲漏极电流(Idm)：40 A
　　导通电阻(Rds(on))：1.1 Ω (Max, Vgs=10V)
　　阈值电压(Vgs(th))：4.0 V (Typ)
　　输入电容(Ciss)：1100 pF (Typ, Vds=25V)
　　输出电容(Coss)：190 pF (Typ, Vds=25V)
　　反向恢复时间(trr)：65 ns (Typ)
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH10N100D具备卓越的高压阻断能力，其1000V的漏源击穿电压使其适用于多种高电压应用场景。该器件通过优化的晶圆制造工艺实现了较低的导通电阻（Rds(on)），在高温条件下仍能维持相对稳定的导通性能，有效降低功率损耗并提高系统整体效率。其N沟道增强型结构提供了正温度系数的跨导特性，有助于在并联使用时实现良好的电流均衡。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），能够在高频开关电路中减少开关损耗，提升转换效率。
　　该器件内置了快速体二极管，其反向恢复时间较短（典型值65ns），可有效减少在感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这一特性对于硬开关拓扑如单端反激、正激变换器以及谐振变换器尤为重要。同时，该体二极管具备一定的雪崩耐量，能够在非钳位电感开关测试（UIS）条件下承受一定的能量冲击，增强了器件在异常工况下的可靠性。TO-247封装不仅提供了优异的热传导路径，还具备较高的机械强度和电气绝缘性能，适合在恶劣工业环境中长期运行。
　　IXTH10N100D的栅极氧化层经过严格工艺控制，具备高达±30V的栅源电压耐受能力，提升了对驱动电路噪声和瞬态电压的容忍度。在实际应用中，建议使用负压关断或有源米勒钳位电路来防止误触发。该器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持环保型生产流程。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端环境温度下稳定工作，适用于户外电源、太阳能逆变器等对环境适应性要求较高的设备。

IXTH10N100D广泛应用于需要高电压、高效率开关操作的电力电子系统中。常见用途包括高压DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、工业电机驱动器中的开关级、感应加热设备的功率级以及医疗电源等对安全性和可靠性要求较高的领域。由于其具备1000V的耐压能力，该器件特别适用于基于PFC（功率因数校正）升压拓扑的后级开关管，或作为主功率开关用于离线式反激/正激变换器中。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器，IXTH10N100D可用于直流侧的开关模块，执行能量调节与隔离功能。
　　此外，该器件也常用于高频电子镇流器、激光电源、X射线发生器等特种电源设备中，承担高压脉冲生成和能量释放的任务。在工业自动化控制系统中，它可作为固态继电器（SSR）的核心开关元件，替代传统机械继电器，实现无触点、长寿命的控制操作。由于其良好的热稳定性和抗冲击能力，IXTH10N100D还可用于电动汽车充电设施中的辅助电源模块，以及UPS（不间断电源）系统的逆变桥臂。在模块化电源设计中，多个此类器件可并联使用，以满足更高电流输出的需求，同时借助其正温度系数特性实现自然均流。
　　在科研和实验装置中，IXTH10N100D因其明确的电气特性和可靠的封装形式，常被用作高压开关实验平台的基础元件。其TO-247封装便于手工焊接和散热安装，适合原型开发与小批量生产。结合适当的驱动电路（如光耦隔离驱动或专用栅极驱动IC），该器件能够实现安全、高效的高压开关操作，是高压功率电子设计中的一种经典选择。

IXTH10N100D2
　　IXFH10N100D
　　STGF10NC100
　　FCH10N100