IXGH50N60AS 时间：2025/8/6 5:28:37 阅读：19

IXGH50N60AS 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，专为高效能功率转换应用设计。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性，适用于需要高效率和高可靠性的工业控制、电源系统及电机驱动等领域。

参数

类型：N 沟道 IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（VCES）：600V
　　最大集电极电流（IC）：50A
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　导通压降（VCEsat）：典型值 2.1V（在 IC=50A，VGE=15V）
　　短路耐受能力：有
　　

特性

IXGH50N60AS 的核心特性在于其卓越的导通性能和开关性能。该器件的导通压降非常低，典型值为 2.1V，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，IXGH50N60AS 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　该 IGBT 的封装形式为 TO-247，这种封装形式具有良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度的设计。TO-247 封装还便于安装散热片，进一步提升散热效果，确保器件在高负载条件下依然能够正常工作。
　　IXGH50N60AS 的栅极驱动电压范围为 ±20V，这使得它能够与多种驱动电路兼容，简化了电路设计。其最大集电极电流为 50A，适用于多种中高功率应用场景，如电机驱动、电源转换器和工业自动化设备等。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应性强，能够在各种恶劣环境中稳定工作。
　　此外，IXGH50N60AS 具有较低的开关损耗，能够在高频开关应用中保持高效能。其优化的内部结构设计减少了开关过程中的能量损耗，降低了器件的发热，延长了使用寿命。

应用

IXGH50N60AS 广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备、电能质量调节装置以及各种类型的功率转换器。在这些应用中，IXGH50N60AS 能够提供稳定的性能，帮助提高系统的整体效率和可靠性。
　　例如，在太阳能逆变器中，IXGH50N60AS 用于将光伏板产生的直流电转换为交流电，供给电网或本地负载使用。其低导通压降和低开关损耗特性使得逆变器能够高效地完成能量转换，减少能量浪费。在工业电机驱动器中，该 IGBT 被用于控制电机的转速和扭矩，提供精确的运动控制，适用于各种自动化生产线和机械设备。
　　此外，IXGH50N60AS 还可用于电能质量调节装置，如有源滤波器和谐波抑制器，帮助改善电网的电能质量，减少谐波污染。其高可靠性和宽工作温度范围使其在户外和恶劣环境中也能稳定运行。