型号：PAA150STR
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：150V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：48A
　　脉冲漏极电流IDM：190A
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：9.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：13mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：75nC
　　输入电容Ciss（典型值）：2800pF
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：35ns
　　上升时间tr：20ns
　　下降时间tf：15ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

PAA150STR具备多项先进特性，使其成为高功率密度和高效率电源系统的理想选择。首先，其超低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流应用场景中表现突出。例如，在48V电源系统或电动工具驱动电路中，低RDS(on)可有效减少发热，提升系统整体效率。该器件在VGS=10V时最大RDS(on)仅为9.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅13mΩ，说明其即使在较低栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，兼容3.3V或5V逻辑控制电路，适用于现代低电压控制平台。
　　其次，PAA150STR采用了ST先进的沟槽栅垂直DMOS工艺，这种结构不仅提升了载流子迁移率，还优化了电场分布，从而增强了器件的击穿电压稳定性和长期可靠性。其150V的漏源耐压满足多数中压功率应用需求，如电信电源、工业自动化设备和电动汽车辅助系统等。此外，器件具备较高的脉冲电流承受能力（IDM达190A），可在瞬态负载或启动浪涌期间安全运行，避免因电流冲击导致损坏。
　　再者，该MOSFET具有优良的开关特性。其栅极电荷Qg仅为75nC，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低驱动损耗并简化栅极驱动设计。配合低输入电容和快速的开启/关断延迟时间，PAA150STR可在数百kHz甚至MHz级开关频率下高效工作，适用于高频DC-DC变换器拓扑，如同步整流、半桥或全桥结构。同时，其封装设计强调热性能，底部裸露焊盘可直接连接至PCB散热区域，实现高效的热传导，确保长时间高负载运行时的温度可控。
　　最后，PAA150STR通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，表明其具备在严苛环境条件下工作的能力，包括宽温度范围（-55°C至+175°C）、高湿度和机械振动等。这使得它不仅适用于工业领域，也可用于车载充电器、DC-DC转换模块和电池管理系统等汽车电子应用。综合来看，PAA150STR以其低损耗、高可靠性、优异热性能和广泛适用性，成为现代高功率MOSFET中的优选器件之一。

PAA150STR广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。主要应用领域包括工业电源系统，如服务器电源、通信基站电源和工业用AC-DC/DC-DC转换器，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提升电源效率并减少散热需求。在新能源领域，该器件可用于太阳能微逆变器和储能系统的功率转换模块，实现高效的能量传输与管理。此外，在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电调和小型伺服系统，PAA150STR凭借其快速开关特性和高脉冲电流能力，能够提供稳定的功率输出和良好的动态响应。
　　在电池管理系统（BMS）中，PAA150STR常被用于电池组的充放电控制与保护电路，作为主开关或均衡开关使用，其低RDS(on)有助于减少电池内阻带来的压降，延长续航时间。在汽车电子方面，得益于其通过AEC-Q101认证，该器件适用于车载DC-DC转换器、车载充电机（OBC）辅助电源以及车身电子模块等场景，能够在高温、高湿和强电磁干扰环境下稳定运行。此外，PAA150STR还可用于高端消费类电子产品中的快充适配器、笔记本电脑电源模块以及LED驱动电源，支持高频率开关拓扑以实现小型化设计。其紧凑的PowerFLAT封装也便于自动化贴片生产，适合大规模制造。总之，PAA150STR凭借其优异的电气性能和高可靠性，已成为多种现代电力电子设备中不可或缺的核心功率开关元件。

STL150N15F3
　　IPB150N15N5
　　FDBL0150N15