型号：TUF-R2SM+
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：200 V
　　最大直流阻断电压 VR：200 V
　　平均整流电流 IO（半波、60Hz、TA=75°C）：2 A
　　正向压降 VF（@ IF = 1 A）：1.1 V
　　反向漏电流 IR（@ VR = 200 V, TA = 25°C）：5 μA
　　结温范围 TJ：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围 Tstg：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻结到环境 RθJA：70 °C/W
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：2
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

TUF-R2SM+ 肖特基二极管具备出色的电学性能和高可靠性，其核心优势在于采用了铂掺杂技术，这种工艺显著改善了传统肖特基二极管在高温下易发生反向漏电流急剧上升的问题。由于肖特基二极管本质上是金属-半导体结，相较于传统的PN结二极管，它具有更低的正向导通压降和极短的反向恢复时间，几乎可以忽略不计，这使得它在高频开关电源中表现出色。TUF-R2SM+ 的正向压降仅为 1.1 V（在 1 A 条件下），这意味着在大电流导通状态下能显著降低功率损耗，从而提升整体系统效率。
　　该器件的最大重复反向电压达到 200 V，使其适用于多种通用整流场合，包括离线式 AC-DC 电源、DC-DC 变换器中的续流或箝位电路。其平均整流电流能力为 2 A，在自然对流条件下可稳定工作，但当环境温度超过 83°C 时需要逐步降额使用，以确保长期工作的可靠性。反向漏电流在 200 V 偏置下仅为 5 μA（25°C），即使在高温条件下也保持较低水平，体现了其优异的阻断能力。
　　TUF-R2SM+ 采用 SMA 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，并兼容标准 SMT 回流焊工艺。其热阻结到环境（RθJA）为 70 °C/W，意味着在没有额外散热措施的情况下仍能有效散热。此外，该器件通过 AEC-Q101 认证的可能性较低（主要用于汽车级分立器件），但其工业级品质足以满足大多数商用和工业应用场景的需求。ESD 保护方面虽未明确标注 HBM 等级，但生产过程中遵循严格的质量控制流程，确保产品一致性与耐用性。

TUF-R2SM+ 主要用于各类中低功率电源系统中作为整流、续流、极性保护或反向隔离元件。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑中承担次级侧整流任务。由于其快速响应特性，也能有效抑制因电感负载断开引起的反向电动势，因此常被用作续流二极管连接在继电器、电机或电感线圈两端，防止电压尖峰损坏驱动芯片。
　　在 DC-DC 转换器如 Buck、Boost 和 Buck-Boost 电路中，TUF-R2SM+ 可作为自由轮二极管使用，确保能量连续传递并提高转换效率。此外，该器件还广泛应用于笔记本电脑、打印机、显示器等消费类电子产品的内部电源模块中。在 LED 照明驱动电路中，可用于防止反接以及提供回路保护功能。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化大规模生产，广泛服务于通信设备、工业控制系统和便携式充电设备等领域。其 200 V 的耐压等级也使其适用于一些低压太阳能板旁路保护或电池管理系统中的防倒灌设计。