P9NB50FP 时间：2025/7/22 15:19:52 阅读：7

P9NB50FP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高耐压能力，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

P9NB50FP 具备多项高性能特性，首先是其高达 500V 的漏源电压（Vds），使其能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源系统。其导通电阻 Rds(on) 最大为 0.65Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高系统效率。
　　此外，该 MOSFET 的漏极电流额定值为 9A，适用于中等电流负载的开关应用。其 TO-220 封装具备良好的热性能，便于散热，提高了器件在高功率环境下的稳定性。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压和过电流冲击，增强了系统的可靠性和耐用性。栅极驱动电压范围较宽，通常为 ±30V，允许使用多种驱动电路设计。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，P9NB50FP 被广泛用于开关电源、逆变器、电机控制和照明系统等应用中。

应用

P9NB50FP 主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的功率电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关元件，实现高效的能量转换；在电机控制电路中，可作为功率开关用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
　　此外，它也适用于 DC-DC 转换器、逆变器、LED 驱动器和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备良好的抗干扰能力和稳定性，也常用于高可靠性要求的工业控制系统中。