时间：2025/8/9 13:46:37
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2SK2809-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有较高的电流和电压耐受能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大栅极电压（VGSS）：±20V
最大漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(ON)）：5.5mΩ（典型值）
封装形式：SMD（表面贴装）
工作温度范围：-55°C至150°C
2SK2809-01MR 具有低导通电阻（RDS(ON)），这使得在高电流下功耗更低，效率更高。其N沟道结构提供了快速的开关特性，适合高频应用。
此外，该器件采用表面贴装（SMD）封装，便于自动化生产和节省空间，适用于紧凑型设计。这款MOSFET还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高负载条件下稳定工作。
由于其高耐流能力和低电阻特性，2SK2809-01MR 非常适合用于高功率密度的设计中，如服务器电源、电池管理系统和工业控制系统。
该器件广泛应用于各种电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池保护电路。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的工业和汽车电子系统。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, AO4406A
