P80NF55-08是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为55V,最大持续漏极电流可达80A,能够满足大功率电子设备的需求。
这款MOSFET广泛应用于直流电机驱动、电源管理电路、逆变器、负载切换等场景,凭借其高效的功率处理能力和稳定性,成为工业和消费类电子产品中的理想选择。
最大漏源电压:55V
最大漏极电流:80A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:ton=24ns, toff=16ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能,减少开关损耗。
3. 极佳的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
4. 强大的雪崩能力,提供额外的保护功能。
5. TO-220标准封装,便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
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IRF540N, FQP50N06L, STP80NF06