时间：2025/6/6 10:24:26
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P80NF55-08是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为55V，最大持续漏极电流可达80A，能够满足大功率电子设备的需求。
这款MOSFET广泛应用于直流电机驱动、电源管理电路、逆变器、负载切换等场景，凭借其高效的功率处理能力和稳定性，成为工业和消费类电子产品中的理想选择。
最大漏源电压：55V
最大漏极电流：80A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=24ns, toff=16ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能，减少开关损耗。
3. 极佳的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 强大的雪崩能力，提供额外的保护功能。
5. TO-220标准封装，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
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IRF540N, FQP50N06L, STP80NF06
