BUK213-50Y是一款N沟道功率MOSFET,由安森美(ON Semiconductor)公司生产。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其设计目的是在高电压和高电流条件下提供高效、可靠的性能。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:76A
栅极阈值电压:4V
导通电阻:1.9mΩ
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃至175℃
BUK213-50Y具有低导通电阻(Rds(on)),这使其在高频开关应用中能够显著降低传导损耗,提高效率。
其具备快速开关速度,可减少开关损耗并提升整体性能。
该器件还拥有出色的热稳定性,在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。
此外,它采用了先进的制造工艺,确保了较高的可靠性和耐用性。
由于其大电流承载能力,该芯片非常适合用于需要高功率输出的场景。
BUK213-50Y适用于多种工业和消费类电子领域,例如直流无刷电机驱动、开关模式电源(SMPS)、电池充电器、逆变器、负载切换电路以及各种高功率密度的电力电子设备。
其卓越的电气特性和散热性能使得它成为许多高性能系统的理想选择。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5580
IXTK76N50P