CPC7583MDTR是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT)阵列器件,属于NPN型晶体管。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管,适用于多种模拟和数字电路设计。其封装形式为TSSOP(薄型小外形封装),适用于高密度印刷电路板设计。该器件广泛用于信号放大、开关控制、接口电路等领域。
类型:NPN晶体管阵列
晶体管数量:2
集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
频率响应(fT):100MHz
增益带宽积(GBW):100MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
CPC7583MDTR具有以下几个显著特性:
首先,该器件采用了先进的硅双极工艺制造,确保了晶体管具有良好的电流增益和高频响应性能。每个晶体管的电流增益(hFE)通常在110至800之间,具体数值取决于工作电流和配置方式,这使得它能够满足多种放大和开关应用的需求。
其次,CPC7583MDTR采用了TSSOP封装,具有较小的体积和良好的热稳定性,适合在空间受限的电路设计中使用。此外,该封装形式也便于实现自动化装配,提高生产效率。
再次,该器件的集电极-发射极电压(VCEO)为30V,最大集电极电流为100mA,适用于中等功率的信号处理和控制应用。其最大功耗为300mW,能够在一般环境温度下稳定工作。
最后,CPC7583MDTR具有较高的频率响应能力,其增益带宽积(GBW)达到100MHz,使其在高频放大和射频应用中表现出色。同时,其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行。
CPC7583MDTR广泛应用于多个电子领域。在通信设备中,它可用于射频信号放大和调制解调电路。在工业控制系统中,常用于传感器信号处理和执行器控制。由于其双晶体管结构,适合用于差分放大电路、推挽放大电路以及电平转换电路。此外,在消费类电子产品如音频放大器、电源管理模块和接口电路中也有广泛应用。其高频特性和紧凑封装也使其成为无线通信模块和便携式设备中的理想选择。
CPC7583MDTR的替代型号包括BC847系列、2N3904、BC547、以及MMBT3904。