P7NK80Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高功率的应用场景。该器件采用了先进的高压技术,能够在高电压条件下提供优异的导通和开关性能。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性,适用于电源转换、电机控制、照明系统以及工业自动化等广泛领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):典型值1.2Ω
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
P7NK80Z MOSFET具备多项优异的电气和机械特性。首先,其高耐压能力(800V Vds)使其能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高电压开关应用,如开关电源和高压DC-DC转换器。其次,该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),通常在1.2Ω左右,有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外,P7NK80Z具备快速的开关特性,能够在高频条件下工作,从而减小外围元件的尺寸并提高系统的响应速度。其栅极驱动电压范围较宽(±30V),提高了与各种驱动电路的兼容性,并增强了抗干扰能力。最后,该器件采用标准TO-220或D2PAK封装,具有良好的热管理和机械稳定性,适用于各种工业环境。
在可靠性方面,P7NK80Z通过了多项工业级认证,确保在极端温度和负载条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适合在各种恶劣环境下使用。同时,该器件具备良好的雪崩能量承受能力,可以在瞬态过压情况下提供一定的保护作用。
P7NK80Z MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中。其主要应用包括:开关电源(SMPS)、高压DC-DC转换器、马达驱动电路、照明控制系统(如LED驱动器)、工业自动化设备以及家电控制模块。由于其高电压能力和良好的导通性能,P7NK80Z在电源适配器、电池充电器和UPS(不间断电源)系统中也得到了广泛应用。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电控制设备中,P7NK80Z可用于实现高效的能量转换和管理。
STF8NM80T、FQA7N80、IRF840、SPW20N80C3