时间：2025/12/27 8:55:02
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7N100-FC是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能高压功率MOSFET晶体管，专为高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用设计。该器件采用先进的沟道栅极技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。7N100-FC中的“7N”代表其系列标识，“100”表示其漏源击穿电压为100V，而“FC”则指其封装形式为PG-HSOF-5或类似的小型表面贴装功率封装，适合高密度PCB布局。该器件广泛应用于通信电源、工业控制、消费类电子及汽车电子等领域，在需要高效能与紧凑设计的系统中表现出色。
作为一款N沟道增强型MOSFET，7N100-FC在栅极施加正向电压时导通，允许电流从漏极流向源极。其优化的元胞结构显著降低了开关损耗和传导损耗，提升了整体系统效率。此外，该器件具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性。内置的体二极管也使其适用于需要反向电流路径的应用场景，如同步整流拓扑结构中。由于其高功率密度和出色的散热性能，7N100-FC成为众多现代开关电源设计中的理想选择之一。
型号：7N100-FC
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：7 A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：28 A
导通电阻（RDS(on)）：0.11 Ω @ VGS = 10 V
导通电阻（RDS(on)）：0.14 Ω @ VGS = 4.5 V
栅极电荷（Qg）：13 nC @ 10 V
输入电容（Ciss）：550 pF @ 25 V
反向恢复时间（trr）：28 ns
工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
封装形式：PG-HSOF-5
安装方式：表面贴装（SMD）
7N100-FC的核心优势在于其优异的电气特性和热管理能力。首先，该器件采用了英飞凌先进的SG3沟槽技术，这种工艺不仅大幅降低了单位面积的导通电阻，还提升了器件的电流处理能力和开关响应速度。低至0.11Ω的RDS(on)确保了在大电流工作条件下仍能保持较低的功耗，从而减少发热并提升系统效率。这对于电池供电设备或对能效要求严格的AC-DC适配器尤为重要。
其次，7N100-FC具备出色的动态性能表现。其栅极电荷（Qg）仅为13nC，意味着驱动电路所需提供的驱动能量较小，可使用低成本的驱动IC实现快速开关动作，进而降低开关损耗。同时，较低的输入电容（Ciss）也有助于减小高频工作时的驱动损耗，使器件更适合用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的电源拓扑中，如LLC谐振变换器或同步降压稳压器。
再者，该器件拥有良好的热稳定性和可靠性。PG-HSOF-5封装具有优异的散热路径设计，能够将芯片产生的热量迅速传导至PCB上，通过大面积铺铜实现有效散热。这使得即使在环境温度较高的工业应用场景下，7N100-FC也能维持稳定的性能输出。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）保证了极端温度条件下的长期可靠性。
最后，7N100-FC具备较强的抗冲击能力。它支持一定的单脉冲雪崩能量，并且具有坚固的体二极管结构，可在负载突变或短路情况下提供一定程度的自我保护。这些特性共同使其成为一个适用于多种复杂工况下的高可靠性功率开关元件。
7N100-FC广泛应用于各类中等功率电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），特别是用于笔记本电脑适配器、LED驱动电源和路由器电源模块中的初级侧或次级侧开关器件。其高效率和小型化特点非常适合追求高功率密度的设计需求。
在DC-DC转换器领域，该器件常用于非隔离式降压（Buck）、升压（Boost）及Buck-Boost拓扑结构中，作为主控开关管使用，尤其适用于输入电压在48V以下、输出电流较大的场合。此外，在电机驱动应用中，如无人机电调、电动工具控制板或小型伺服系统中，7N100-FC可用于H桥电路中的上下桥臂，实现精确的电机正反转与调速控制。
由于其具备良好的EMI性能和快速响应能力，也被用于电信设备电源单元、工业自动化控制器以及车载充电系统等对安全性和稳定性要求较高的场景。另外，在光伏逆变器、UPS不间断电源等新能源相关设备中，该MOSFET也可作为辅助电源或同步整流部分的关键组件。总之，凡是需要高效、可靠、紧凑型功率开关的地方，7N100-FC都是一个极具竞争力的选择。
IPD90N10S3-02
