类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　漏极电流(ID)：8A
　　导通电阻(RDS(on))：最大10.3mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSMT8
　　功率耗散(PD)：2.5W

PQ1CY103ZZH 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻，最大值为10.3mΩ，在VGS=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用小型TSMT8封装，适用于空间受限的设计，同时提供良好的散热性能。器件的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提高了抗过压能力和可靠性。
　　此外，PQ1CY103ZZH 的漏源击穿电压为100V，能够适应多种中高电压应用环境。其额定漏极电流为8A，适合用于中功率电源转换和开关控制电路。该器件还具备快速开关特性，减少开关损耗并提高系统响应速度，适用于高频开关电源设计。
　　从可靠性角度看，PQ1CY103ZZH 的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和车载环境。其封装材料符合RoHS标准，支持环保设计。此外，该MOSFET具有较高的耐用性和稳定性，适用于需要长时间运行的高可靠性系统。

PQ1CY103ZZH 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及车载电子设备。由于其具备低导通电阻、小型封装和良好的热管理能力，该器件特别适用于高效率、高密度电源设计。在消费类电子产品中，可用于电源适配器、充电器和LED驱动电路。在工业设备中，该MOSFET适用于自动化控制、伺服电机驱动和工业电源模块。此外，PQ1CY103ZZH 也广泛用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统的功率开关电路中。

SiSS108DN-T1-GE3, IPB013N10N3 G, FDS6680, AO4407A